首页 > 设计 > 正文

我科学家发现单分子晶体管中电子的量子干涉效应

字号:T|T
        【中国插座网】
中国插座网

  记者20日从厦门大学获悉,该校固体表面物理化学国家重点实验室洪文晶团队和英国兰卡斯特大学Colin Lambert教授、上海电力大学陈文博团队合作,在国际上首次发现了在单分子电化学晶体管中电子的量子干涉效应,在此基础上制备出基于量子效应的高性能单分子电化学晶体管,为当前计算机芯片突破硅基半导体器件物理极限提供一个全新思路。该研究成果日前在线发表于《自然·材料》期刊上。

  当前,功能电子器件的小型化已成为信息技术发展的重要趋势。随着半导体工业的发展,集成电路芯片上晶体管的集成度越来越高,尺寸越来越小,芯片运行速度也越来越快。但是,传统的硅基晶体管的尺寸已达到瓶颈,为进一步减小晶体管尺寸,基于单个有机分子来替代硅作为晶体管材料,成为电子器件微型化潜在技术方案。而目前单分子晶体管的开关比普遍较低,严重制约了器件的性能。

  据洪文晶教授介绍,在单分子器件中,电子在通过单分子器件中不同电输运通路时,由于存在相位差而出现增强或相消量子干涉效应,这是在纳米-亚纳米尺度电子输运的独特效应。在分子结构相近的情况下,具有相消量子干涉效应的分子和不具有相消量子干涉效应的分子相比,其电子输运能力可能有数量级的差异。

  该团队在研究中首次实现了可集成电化学门控的单分子电子器件测试芯片技术和科学仪器方法,并在室温下首次实现了对单分子电子器件中量子干涉效应的反共振现象的直接观测和调控,得到了比传统单分子晶体管开关比高出数十倍的单分子电化学晶体管,对制备基于量子干涉效应的新型分子材料和器件具有重要意义。

免责声明:本文仅代表作者个人观点,与中国插座网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
    本网站有部分内容均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,若因作品内容、知识产权、版权和其他问题,请及时提供相关证明等材料并与我们联系,本网站将在规定时间内给予删除等相关处理.

为你精选